Charakteryzacja warstw C-Ni otrzymanych w procesie PVD za pomocą spektroskopii FTIR i Ramana

• Autorzy: Kamińska A. , Molenda K. , Kęczkowska J.

Warianty tytułu

EN

FTIR and Raman studies of C-Ni films prepared by PVD method

• Konferencja: Konferencja Techniki Próżni. 9 ; Workshop on Field Emission from Carbonaceous Materials ; 6-9.06.2011; Cedzyna, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zastosowano spektroskopię FTIR oraz Ramana do charakteryzacji struktury molekularnej nanostrukturalnych warstw węglowo-niklowych. Techniki te pozwoliły na potwierdzenie obecności w badanych warstwach octanu niklu oraz fullerenu, które nie uległy całkowitemu rozkładowi podczas procesu PVD. Spektroskopia FTIR umożliwiła również określenie wpływu parametrów technologicznych osadzania warstw na ich strukturę molekularną.

EN

In this work FTIR and Raman spectroscopy was used for characterization of the molecular structure of nanostructural carbonaceous-nickel films. These techniques allowed to confirm the presence of not completely decomposed nickel acetate and fullerene in the investigated films. FTIR spectroscopy has also enabled to determine the influence of technological parameters of PVD process on the films molecular structure.

Słowa kluczowe

PL

spektroskopia FTIR; spektroskopia Ramana; warstwy węglowo-niklowe

EN

FTIR spectroscopy; Raman spectroscopy; carbonaceous-nickel films

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 8
• Strony: 37--38
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kamińska A.

autor

Molenda K.

autor

Kęczkowska J.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• [1] Czerwosz E., Kozłowski M., Kowalska E., Radomska J., Rymarczyk J., Wronka H.: Elektronika 7 (2009), 117-119.
• [2] Czerwosz E., Kowalska E., Kozłowski M.: Elektronika 7 (2008), 46-48.
• [3] Czerwosz E.: Elektronika 1 (1998), 17-20.
• [4] Guan H., Zhou W., Fu S., Shao C., Liu Y.: J. Phys. Chem. Solids 70 (2009), 1374-1377.
• [5] Byszewski R., Klusek Z.: Opto-Electron. Rev. 9(2) (2001), 203-210.
• [6] Kuzmany H., Pfeiffer R., Hulman M., Kramberger Ch.: Phil. Trans. R. Soc. Lond. A 362 (2004), 2375-2406.
• [7] Lebedkin S., Gromov A., Giesa S., Gleiter R., Renker B., Rietschel H., Kratschmer W.: Chemical Physics Letters vol. 285, Issues 3-4 (1998), 210-215.