Detektory fotoemisyjne na bazie związków A^III B^V

• Autorzy: Wojas W. , Wojas J.

Warianty tytułu

EN

Photoemissive detectors on the basis of A^III B^V semiconductors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Autorzy szczegółowo omówili zjawisko ujemnego powinowactwa elektronowego w półprzewodnikach grupy A^III B^V w aspekcie jego wykorzystania do konstrukcji czułych detektorów podczerwieni. Pokazano, dlaczego arsenek galu jest najbardziej odpowiednim materiałem z tej grupy związków półprzewodnikowych do wykorzystania zjawiska ujemnego powinowactwa do budowy czułych fotoemiterów. Opisano procesy technologiczne otrzymywania takich emiterów przez nakładanie (napylanie) warstw tlenku cezu na arsenek galu. Wymieniono warunki, jakie powinien spełnić fotoemiter. Podano przykłady budowy i zastosowania detektorów do wykrywania padającego promieniowania bliskiej i średniej podczerwieni.

EN

The authors discuss in detail the phenomena of negative electron affinity for semiconductors A^III B^V in aspect of construction of sensitive detectors for infrared radiation. We show that GaAs is the most suitable material of this group of semiconductors for application of negative electron affinity to construct sensitive photoemitters. The technological process of fabrication of these emitters with Cs₂O layer on GaAs is described. We present the conditions for the photoemitter. We show the examples of detectors for detecting near infrared and middle infrared radiation.

Słowa kluczowe

PL

półprzewodniki; powinowactwo elektronowe; detektory na podczerwień

EN

semiconductors; electron affinity; photoemitters; detectors for infrared radiation

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 59, nr 4
• Strony: 239--260
• Opis fizyczny: Bibliogr. 49 poz. tab., wykr.

Twórcy

autor

Wojas W.

autor

Wojas J.

• Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego, Wydział Zastosowań Informatyki i Matematyki, 02-776 Warszawa, ul. Nowoursynowska 159

Bibliografia

• [1] J. Wojas, Fotoelektryczne badania półprzewodników, Wydawnictwo Naukowe SEMPER, Warszawa, 1994.
• [2] J. Wojas, Fizyka powierzchni półprzewodników, Akademicka Oficyna Wydawnicza, PLJ, Warszawa, 1995.
• [3] C. A. Schmuttenmaer i in., Chem. Phys., 2005, 91, 1996.
• [4] Xu Shihong i in., Surf. Sci. Lett., 4, 25, 1997.
• [5] K. Jacobi i in., Surf. Sci., 141, 109, 1984.
• [6] S. P. Svensson i in., J. Vac. Sci. Technol., B (USA), 2, 235, 1984.
• [7] E. O. Kane, Phys. Rev., 127, 131, 1962.
• [8] F. Bassani i in., Elektronic States and Optical Transitions in Solids, Oxford, 1975.
• [9] W. E. Spicer, Phys. Rev., 112, 114, 1958.
• [10] L. W. James i in., Gallium Arsenide, Proceedings of the Seconod International Symposium, Dallas 1968, 230; J. Appl. Physics, 42, 580, 1971.
• [11] J. Wojas, Acta Phys. Pol., A60, 767, 1981.
• [12] C. L. Palestra, J. Łagowski, H. G. Gatos, Surf. Sci., 64, 457, 1977, 69, 53, 1977.
• [13] C. I. Spindt i in., Appl. Phys. Lett., 4, 25, 1989.
• [14] J. Wojas, Rozwój teorii i metod badawczych fotoemisji z metali, półprzewodników i izolatorów, Centralny Ośrodek Szkolenia i Wydawnictw SEP, Warszawa, 2005.
• [15] E. Trojnar, Encyklopedia Fizyki Współczesnej, Warszawa, 1983.
• [16] P. H. G. Van Kasteren, L. H. Smeets, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng, USA, 289, 83, 1982.
• [17] W. E. Spicer, Appl. Phys., 12, 115, 1977.
• [18] W. E. Spicer, J. Appl. Phys., 31, 2077, 1960.
• [19] J. J. Scheer, J. Van Laar, Philips Res. Rept., 17, 101, 1962.
• [20] R. U. Martinelli, D. G. Tischner, Proc. IEEE, 62, 1339, 1974.
• [21] R. Bell, Negative Affinity Devices Clarendon Press, Oxford, 1973.
• [22] D. Rodway, Surf. Sci., 147, 103, 1984.
• [23] A. A. Turnbull, G. B. Evans, Brit. J. Appl. Phys., 1, 155, 1978.
• [24] J. J. Scheer, J. van Laar, Solid State Communications, 3, 189, 1965.
• [25] R. L. Bell, J. J. Uebbling, J. Appl. Phys., 12, 76, 1978.
• [26] S. Garbe, G. Frank, Solid State Commun., 7, 615, 1969; Solid - State Electron, 12, 893, 1969.
• [27] A. H. Sommer i in., Appl. Phys., Lett., 17, 273, 1970.
• [28] G. S. Dong i in., Surf. Interface Anal., 24, 653, 1996.
• [29a] J. J. Uebbing, R. L. Bell, 11, 357, 1967.
• [29b] B. F. Willians, In GaAs-CsO, a lew work function photoemitter, Apel. Phys. Lett., 14, 273, 1969.
• [29c] L. W. James, J. J. Uebbing, Apel. Phys. Lett., 16, 370, 1970.
• [29d] D. Andrew, J. P. Gowers i in., J. Phys. D., 3, 320, 1970.
• [30] R. Bell, W. E. Spicer, Proceed. of IEEE, 58, 1788, 1970, 13, 233, 1976.
• [31] R. L. Bell i in., Appl. Phys. Lett., 25, 645, 1974.
• [32] J. S. Escher, R. Saukaran, Appl. Phys. Lett., 15, 1976.
• [33] R. E. Kimon, W. E. Spicer, Phys. Rev., 119, 621, 1990.
• [34] F. Manghi, C. Kalandra, Surf. Sci., 136, 629, 1984.
• [35] W. P. Lenisow, A. I. Klimin, Fiz. Twerd. Tela, 32, 6, 1754, 1990.
• [36] R. Calabrese i in., Nucl. Instrum. and Math. Phys. Res., A. 292, 3, 728, 1990.
• [37] T. Abukawa i in., J. Vac. Sci. and Technol., A, 8, 4, 3205, 1990.
• [38] W. E. Spicer i in., J. Vac. Sci. Technol., 17, 1019, 1980.
• [39] V. Vergara, W. E. Spicer, J. Appl. Phys., USA, 80, 1809, 1996.
• [40] W. A. Nesterenko, O. W. Snitko, Fiziczeskije swojstwa (atomarno-czistoj powierchnosti połuprowodnikow), Naukowa Dumka, Kijew, 1984, Nauka Publishers, Moscow, 1988.
• [41] J. Wojas, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 42, 3, 287, 1996.
• [42] J. Szuber, Elektron Technol., Poland, 20, 323, 1996.
• [43] A. Ju. Mitayagin, V. P. Orłow, Soviet Phys-Cryst., 18, 554, 1974; PTT, 16, 9, 2803, 1974.
• [44] W. Wojas, J. Wojas, Biul. WAT, 56, 3, 2007.
• [45] P. Martensson, Phys. Rev. B., USA, 33, 8855, 1986.
• [46] J. Skonieczny i in., Z. Phys. B. Condensed Matter, 85, 211, 1991.
• [47] J. Piotrkowski, A. Rogalski, Półprzewodnikowe detektory podczerwieni, Warszawa, WNT, 1985.
• [48] J. Piotrkowski, W. Gawron, Infrafed Phys. Technol., 38, 63, 1977.
• [49] A. Rogalski, Postępy fizyki, 51, 2, 2000.