Technologia nanostruktur półprzewodnikowych w zastosowaniu do wytwarzania przyrządów fotonicznych

• Autorzy: Bugajski M.

Warianty tytułu

EN

Semiconductor nanostructures and its applications in photonic device technology

• Konferencja: Technologia Elektronowa. 7 Konferencja Naukowa ; 18-20.09.2000 ; Polanica Zdrój, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W oststnich latach pojawiła się nowa rodzina przyrządów optoelektronicznych, których działanie oparte jest na wykorzystaniu specyficznych efektów związanych z umieszczeniem aktywnej struktury przyrządu, w mikrownęce rezonansowej typu Fabry-Perota. W największym skrócie wpływ wnęki przejawia się w selektywności spektralnej i rezonansowym wzmocnieniu pola optycznego. W przypadku mikrownęk o bardzo dużej dobroci pojawiają się dodatkowo efekty, będące manifestacją faktu odwracalności procesu emisji sponanicznej i obserwuje się dążący do jedności współczynnik sprzężenia emisji spontanicznej z modemem laserowym wnęki. Efekty te, prócz czysto fundamentalnego znaczenia, przejawiającego się w pogłębieniu naszego zrozumienia oddziaływania promieniowania elektromagnetycznego z materią w układach o rozmiarach porównywalnych z długością fali światła, mają szereg praktycznych konsekwencji, do których przede wszystkim zaliczyć trzeba teoretyczną możliwość skonstruowania lasera o zerowym prądzie progowym. W niniejszej pracy omawiana jest technologia wytwarzania jednowymiarowych struktur fotonicznych i przykłady ich zastosowania do wytwarzania takich przyrządów jak lasery o emisji powierzchniowej (VCSEL) i diody elektroluminescencyjnej z mikrownęką rezonansową (RC LED). Wszystkie omawiane wyniki dotyczą struktur i przyrządów opracowanych i wytwarzanych w ITE.

EN

In the present paper we review our recent works on technology, basic physics and applications of one-dimensional photonic structures. We demonstrate spontaneous emission control in In_xGa_1-xAs/GaAs planar microcavities with DBR reflectors. The room temperature emission in ʎ-sized cavities is enhanced in comparison with its free space value, while in ʎ/2-sized cavities suppression of spontaneous emission is observed. The characteristics of spontaneous emission in microcavities depend on the wavelength difference between the emitter and the cavity resonance. It has been shown that ideal tuning of the cavity can be achieved by adjusting temperature. In general observed trends are in agreement with theoretical predictions. These changes to the spontaneous emission process directly affect vertical-cavity laser (VCSEL) properties. An increased coupling efficiency of spontaneous emission into the lasting mode is observed in VCSELs with ʎ-sized cavities. We demonstrate the operation of resonant-cavity light emitting diodes (RC LED) and optically pumped VCSELs developed recently at the Department of Physics and Technology of Low Dimensional Structures of the Institute of Electron Technology. The epitaxial growth issues, fabrication technology and basic characteristics of these devices are discussed.

Słowa kluczowe

PL

technologia nanostruktur; wytwarzanie; przyrządy fotoniczne

EN

semiconductor nanostructures; application; photonic device

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 2
• Strony: 34--37
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., wykr.

Twórcy

autor

Bugajski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• 1. K. Regiński, J. Muszalski, M. Bugajski, T. Ochalski, J. M. Kubica, M. Zbroszczyk, J. Kątcki, J. Ratajczak: MBE growth of planar microcavities with distributed Bragg reflectors, Thin Solid Films, 367 (2000) 290-294.
• 2. T. Ochalski, J. Muszalski, M. Zbroszczyk, J. M. Kubica. K. Regiński, J. Kątcki, M. Bugajski: Spontaneous emission control in In„Ga,„As/ /GaAs planar microcavities with DBR reflectors, NATO Science Series, 3. High Technology - vol.81, Optical Properties of Semiconductor Nanostructures, M.L.Sadowski et al. (eds.), 201-210.
• 3. J. Muszalski: Pyrometric interferometry during MBE growth of laser heterostructures, Thin Solid Films, 367 (2000) 299-301.