Warstwy dielektryczne do przyrządów wytwarzanych z węglika krzemu

Szmidt, J.; Bąkowski, M.; Sokołowska, A.; Jakubowski, A.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Warstwy dielektryczne do przyrządów wytwarzanych z węglika krzemu

Autorzy

Szmidt J. , Bąkowski M. , Sokołowska A. , Jakubowski A.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Dielectric layers for silicon carbide devices

Konferencja

Technologia Elektronowa. 7 Konferencja Naukowa ; 18-20.09.2000 ; Polanica Zdrój, Polska

Języki publikacji

Abstrakty

W pracy scharakteryzowano właściwości różnych odmian węglika krzemu na tle innych materiałów półprzewodnikowych. Przedstawiono wymaganiadla warstw dielektrycznych stosowanych w przyrządach półprzewodnikowych - w szczególności struktur MIS. Dokonano krytycznej analizy warstw termicznego SiO₂ oraz przedstawiono pierwsze wyniki badań innych dielektryków wytwarzanych metodami plazmowymi na podłożach z węglika krzemu.

The paper presents characterisation of different forms of silicon carbide in comparison with other semiconductors. Requirements for dielectric layers for applications in silicon carbide devices, especially in MIS structures, are also presented. A critical analysis of thermal SiO₂ layers is effected and first results of investigations of other dielectric layers (AlN, Al₂O₃) produced by plasma method on silicon carbide substrates are presented.

Słowa kluczowe

struktury MIS analiza krytyczna warstwy dielektryczne

structures MIS critical analysis dielectric layers

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2001

Tom

Vol. 42, nr 2

Strony

30--33

Opis fizyczny

Bibliogr. 36 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Szmidt J.

szmidt@imio.pw.edu.pl

Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

autor

Bąkowski M.

ACREO AB, Electrum 236, Kista, Sweden

autor

Sokołowska A.

Instytut Inżynierii Materiałowej, Politechnika Łódzka

autor

Jakubowski A.

Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

Bibliografia

1.R. Kirshman n: IEEE Press, (1998).
2. W. Xie, J. Cooper, Jr.: IEEE Electron Device Letters, (1994), pp. 455-457.
3. K. J. Schoen et al.: IEEE Electron Device Letters, vol. 19, No. 4, (1998), pp. 97-99.
4. I. V. Grekov et al.: IEEE Trans. on Electron Dev., vol. 46, No.3, (1999), pp. 577-579.
5. Hui-Feng Li et al.: Journal of Applied Physics, vol. 86, No. 8, (1999) 4316-4320.
6. V. Van Elsbergen et al.: Applied Surface Science, 134 (1998) 197-201.
7. G. Y. McDaniel et al.: Surface Science, 445 (2000) 159-166.
8. G. Lucovsky et al.: Applied Surface Science 123/124, (1998) 435-439.
9. J. Robertson: Diamond and Related Materials, 6 (1997), pp. 212-218.
10. V. V. Afanas'ev et al.: Journal of Applied Physics, vol. 85, No. 12, (1999) 8292-8298.
11. J. Compi, Y. Luo, F. Yan: IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 46, No.3, (1999) 511-519.
12. H. Yano et al.: IEEE Trans. on Electron Devices. vol. 46. No.3, (1999) 504-510.
13. M. Bakowski et.al.: Microelectron., Reliab., vol. 38, No.3 (1998) pp. 381-392.
14. J. Szmidt et al.: Physics of Semiconductor Devices, V. Kumar, S.K. Agarwal (eds.), Narosa Publishing House, vol. 1, (1998) pp. 102-105.
15. J. Szmidt. Chaos, Solutions & Fractals, vol. 10, No. 12 (1999), pp. 2099-2152.
16. J. Szmidt et al.: Diamond and Related Materials, 3 (1994) 853.
17. J. W. Palmour, H. S. Kong, R. F. Davis: Journal of Applied Physics, vol. 64, (1088), pp. 2168-2177.
18. L. A. Lipkin, J. W. Palmour. IEEE Trans. on Electron Dev., vol. 46, No.3, (1999) pp. 525-532.
19. C. M. Zetterling et al.: J. Appl. Phys., vol. 82, No. 6 (1997).
20. A. J. Stecki, J. P. Li: Appl. Physics Letters, 60 (17) (1992), pp. 2107-2109.
21. D. M. Wolfe et al.: J. Vac. Sci. Technol., A 17 (4) (1999), pp. 2170-2177.
22. A. Y. Kuznetsov et al.: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B 148 (1999) pp, 279-283.
23. M. Lades et al.: IEEE Trans on Electron Dev., vol. 46, No. 3 (1999) pp. 598-604.
24. K. Tone: IEEE Trans on Electron Dev., vol. 46, No. 3 (1999) pp. 612-619.
25. A. Addamiano et al.: Journal of the Electrochemical Society, Solid State Science and Technology, (1972) pp. 1355-1362.
26. A. J. Scozzie et al.: Journal. of Applied Physics, vol. 86, No. 7 (1999) 4052-4054.
27. J. Szmidt et al.: 9th Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON'98), Tel-Aviv (Israel), 18-20 May 1998.
28. A. Werbowy et al.: Diamond and Related Matrials, 7 (1998) 397.
29. S. Mitura et al.: Diamond and Related Materials, Y.Tzeng et.al., (Eds.), (1991) 795-798.
30. J. Szmidt, A. Jakubowski, A. Balasiński: Thin Solid Films, 142 (1986) 269.
31. S. Mitura: Journal de Physique IV, (1991) 1, CZ-C939.
32. S. Mitura et.al.: Diamond and Related Materials, 1 (1992), pp. 677-680.
33. J. Szmidt et al.: Diamond and Related Materials, 5 (1996) 1204.
34. J. Szmidt et al.: Diamond and Related Materials, 8 (1999) 391-397.
35. L. Klubacki, J. Szmidt, K. Zdunek: Proc. of. 12th Intern. Conf. on Plasma Procsses CIP'99, (1999), pp. 302-304.
36.A. R. Olszyna et.al.: E-MRS 2000 Spring Meeting. May 30 - June 2, (2000), Strasburg (France).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0002-0038