Dielektryki bramkowe dla nowych generacji układów scalonych

• Autorzy: Łukasiak L. , Jakubowski A. , Beck R. B. , Wojtkiewicz A. , Korwin-Pawłowski M. , Rużyłło J.

Warianty tytułu

EN

Gate dielectrics for new generations of integrated circuits

• Konferencja: Technologia Elektronowa. 7 Konferencja Naukowa ; 18-20.09.2000 ; Polanica Zdrój, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wpływ redukcji grubości tlenku bramkowego w przyrządach MOS na ich działania, wytwarzanie oraz charakteryzację. Przedyskutowano także zalety rozwiązania polegającego na zastąpieniu SiO₂ materiałem o wyższej przenikalności elektrycznej w formie dielektryku pojedynczego lub podwójnego.

EN

The paper presents the consequences of the reduction of gate oxide thickness in MOS devices on their operation, manufacturing and characterization. The advantages of replacing SiO₂ with high-k materials (in the form of both single and stacked dielectric) are discussed, too.

Słowa kluczowe

PL

dielektryki; układ scalony

EN

dielectric; matches integrated

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 2
• Strony: 27--29
• Opis fizyczny: Bibliogr. 20 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Łukasiak L.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

autor

Jakubowski A.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

autor

Beck R. B.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

autor

Wojtkiewicz A.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

autor

Korwin-Pawłowski M.

• X-ION S.A., Paris, France

autor

Rużyłło J.

• Penn State University, USA

Bibliografia

• 1. J. R. Brews, W. Fichtner, E. H. Nicollian, S. M. Sze: IEEE Electron Dev. Lett., vol. EDL-1, (1980), p.2.
• 2. C. T. Liu: IEDM Tech. Dig., (1998), p.747.
• 3. L. C. Feldman et.al.: in: E.Garfunkel et.al. (Eds) „Fundamental aspects of ultrathin dielectrics on Si-based devices", Kluwer Academic Publishers, (1998), p.1.
• 4. M. Stoneham, C. J. Sofield: Modeling the oxide and the oxidation process: can silicon oxidation be solved?, in: E.Garfunkel et.al. (Eds) „Fundamental aspects of ultrathin dielectrics on Si-based devices", Kluwer Academic Publishers, (1998), p.79.
• 5. S. Dimitnjev, H. B. Harrison: J. Appl. Phys., 80, (1996), p.2467.
• 6. J. D. Plummer. Silicon oxidation kinetics - from Deal-Grove to VLSI process models, in: H.Z. Massoud et.al., (Eds), The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface - 3, The Electrochemical Society, Pennigton, NJ, (1996).
• 7. G. Borsoni, M. L. Korwin-Pawlowski, R. Laffitte, V. LeRoux: Proc. of EIPBN'2000 Conf., Palm Springs, May 30tb USA.
• 8. H. S. Momose et al.: Symp. on VLSI Technology, (1997), p.15.
• 9. J. Maserjian et al.: Solid-State Electron., vol. 17, (1974), p.335.
• 10. M. J. McNutt, C.-T. Sah: J. Appl Phys, vol. 46, (1975), p.3909.
• 11. B. Ricco et al.: IEEE Trans. Electron Dev., vol. ED-35, (1988), p.432.
• 12. H. Reisinger et al.: Solid-State Electron.. vol. 35, (1992) , p.797.
• 13. S. V. Walstra et al.: IEEE Trans. Electron Dev., vol. ED-44, (1997), p.1135.
• 14. Y. Taur. IEEE Spectrum 36, no.7, (1999), p.25.
• 15. E. M. Vogel et al.: IEEE Trans. Electron Dev.. vol. ED-47, (2000), p.601.
• 16. L. M. Terman: Solid State Electronics, vol. 5, (1962), p.285.
• 17. D. K. Schröder. Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons, 1990.
• 18. Jakubowski et al.: Ultrathin SiO2 and alternative gate dielectrics: state-of-the-art. Review and suggestions for R&D directions, Raport dla X-ION, 1999.
• 19. Jakubowski et al.: in: V. Kumar and S. K. Agarwal, (Eds.) Physics of semiconductor devices, vol. II, pp. 768-775, Allied Publishers Limited, New Delhi, India, 1999.
• 20. M. Houssa et al.: J. Appl. Phys., vol. 86, (1999), p.6462.