PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Selective deposition of GaN layers on silicon substrates by rf sputtering
Konferencja
Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Zbadano możliwość uzyskania warstw GaN metodą reaktywnego sputteringu przy wykorzystaniu techniki selektywnego osadzania. Założono, że zastosowanie selektywności poprawi parametry warstw w stosunku do osadzanych w sposób nieselektywny . Selektywność osadzania warstw GaN w sputronie uzyskano, ograniczając powierzchnię wzrostu do niskowymiarowych, periodycznych obszarów (tarasów), które otrzymano w wyniku fotolitografii i pionowego, głębokiego trawienia plazmowego podłożowych płytek krzemowych.
EN
In this work, we tried to deposit GaN layer by reactive sputtering using technique of selective growth, on silicon substrate. We assumed that the selectivity correct parameters layers in compare with nonselective layer. In sputtering, dielectric tilms, used in ELO, don't assure selective grown. We achieved selectivity deposition GaN layer by limitation area growth to low size, periodic terraces, which obtained using photolithography and plasma etching ot silicon wafers.
Słowa kluczowe
Rocznik
Strony
27--28
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz., il.
Twórcy
autor
  • Instytut Technologii Materiałów Elektrycznych, Warszawa
autor
  • Instytut Technologii Materiałów Elektrycznych, Warszawa
  • Instytut Technologii Materiałów Elektrycznych, Warszawa
Bibliografia
  • 1. Hiramatsu K., Matsuchima H., Shibata T, Kawagachi Y., Swaki N.: Materials Science and Eneginering, B59, 104-111,1999.
  • 2. Hansen M., Fini P., Zhao I., Abare A., Coldren L.A., Speck J.S., Denbaar S. P.: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 5S1, 2000.
  • 3. Haffouz S. et al.: Journal of Crystal Growth, 248, 568-572, 2003.
  • 4. Guo Q.X., Okada A., Kidera H., Tanaka T., Nishio M., Ogawa H.: Journal of Crystal Growth, 237-239, 1079-1083, 2002.
  • 5. Stańczyk В., Jagoda A.: Journal of Wide Bandgap Materials, 9, 213-219, 2002.
  • 6. Pearton et al.: Journal Appl. Phys., 86(1), 1-78, 1999.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0014-0047
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.