Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0004-0076

Czasopismo

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

Tytuł artykułu

Wydajność kwantowa w zakresie ultrafioletowym selektywnego detektora wykonanego z AlxGa1-xN

Autorzy Małachowski, M. 
Treść / Zawartość http://biuletynwat.pl/
Warianty tytułu
EN Quantum yield in ultraviolet region of AlxGa1-xN selective detector
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL Przedstawiono wyniki teoretycznej analizy wydajności kwantowej selektywnego detektora promieniowania ultrafioletowego (UF). Obliczenia wydajności przeprowadzono dla dwuwarstwowego detektora p-n składającego się z dwóch półprzewodników AlxGa1-xN różniących się pod względem składu x oraz grubości. Dobierając odpowiedni skład i grubość warstwy AlxGa1-xN odcinającej U F od strony krótkofalowej oraz skład molowy części AlxGa1-xN ze złączem p-n, można w praktyce dowolnie modelować selektywność detektora UF. Prezentowane krzywe obrazujące spektralną zależność wydajności kwantowej obejmują zakres przerw energetycznych od 3,4 eV do 4,3 eV. Krzywe nie są symetryczne - bardziej "stromy" spadek występuje od strony długofalowej.
EN The results of theoretical analysis of quantum yield of selective detector in ultraviolet (UV) radiation range are presented. The yield calculations were carried out for two layer p-n detector, which consists of two AlxGa1-xN semiconductors differing by the composition parameter x and the thickness. Selection of the proper composition as well as the thickness of the AlxGa1-xN layer cutting off the UV from the short wavelength side and the mole composition of the p-n junction side of AlxGa1-xN allows practically arbitrary modeling the selectivity of the UV detector. The presented curves showing the spectral dependence of the quantum yield cover the rage from 3.4 eV to 4.3 eV. The curves were found to be unsymmertial - from the long wavelength side the fall is more rapid.
Słowa kluczowe
PL półprzewodnikowe detektory UF   wydajność kwantowa   półprzewodnik arsenku galu  
EN semiconductor detectors of UV   quantum yield   gallium nitride semiconductor  
Wydawca Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Czasopismo Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Rocznik 2001
Tom Vol. 50, nr 6
Strony 5--20
Opis fizyczny Bibliogr. 25 poz.
Twórcy
autor Małachowski, M.
  • Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, 00-908 Warszawa, ul. S. Kaliskiego 2
Bibliografia
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0004-0076
Identyfikatory