Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC MESFET

• Autorzy: Zarębski J. , Bisewski D.

Warianty tytułu

EN

SiC MESFET transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono otrzymane przez autorów wyniki pomiarów stałoprądowych charakterystyk statycznych tranzystora SiC MOSFET o symbolu CRF24010-101 (Cree Int.). Dokonano oceny przydatności modelu Raytheona-Statza tranzystora MESFET wbudowanego w programie SPICE przez porównanie charakterystyk pomierzonych i obliczonych. W symulacjach wykorzystano wyznaczone na podstawie pomiarów wartości parametrów modelu.

EN

In the paper the d.c. characteristics of the SiC MESFET (Cree Int.) measured by the authors are presented. The estimation of accuracy of Raytheon-Statz model of MESFET is performed by comparison of the measured and simulated characteristics. In simulations the values of the model parameters obtained from measurements are used.

Słowa kluczowe

PL

MESFET; SPICE; modelowanie

EN

MESFET; SPICE; modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 12
• Strony: 78--80
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

autor

Bisewski D.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] PSPICE A/D Reference Guide Version 10.0, Cadence Design Systems Inc., June 2003.
• [2] http://www.cree.com/products/pdf/crf24010.pdf.
• [3] M. Östling: Silicon Carbide Devices for High Frequency and High Power - A State of the art view, konferencja RadioVetenskap och Kommu-nikation RVK, Linköping, 2005.