Półprzewodniki szerokoprzerwowe dla elektroniki i fotoniki

• Autorzy: Jeleński A.

Warianty tytułu

EN

Wide band gap semiconductors for electronics and photonics

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (4 ; 12-15.06.2005 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł omawia właściwości półprzewodników z szeroką przerwą energetyczną i wynikające z nich możliwości zastosowań w warunkach, w których wymagane są duże napięcia przebicia, gęstości prądu lub wysokie temperatury pracy. Właściwości azotku galu, węglika krzemu i diamentu porównane są z krzemem jako materiałem najszerzej stosowanym w elektronice. Omówione są także przykłady zastosowań tych materiałów w elektronice mocy, urządzeniach energetycznych, mikrofalowych, a także w optoelektronice, jako lasery i diody luminiscencyjne, niebieskie i UV.

EN

Properties of wide band semiconductors enabling their applications in harsh environment or in devices having a large breakdown voltage or high current density are described. Properties of gallium nitride, silicon carbide and diamond are compared with properties of the most widely used material in electronics - silicon. Possible applications of these materials in power electronics, electrical power systems, microwaves and also in optoelectronics as blue and UV lasers and LED's are also presented.

Słowa kluczowe

PL

półprzewodniki z szeroką przerwą; węglik krzemu; azotek galu; diament; półprzewodnikowe elementy mocy; optoelektronika

EN

wide band gap semiconductors; silicon carbide; gallium nitride; diamond; semiconductor power devices; optoelectronics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 11
• Strony: 19--24
• Opis fizyczny: il., wykr.

Twórcy

autor

Jeleński A.

• Instytut Technologii i Materiałów Elektronicznych. Warszawa