Lasery półprzewodnikowe wciąż pozostają przedmiotem zainteresowań nauki i przemysłu. Cz. 2, Lasery unipolarne (kaskadowe) : nowe perspektywy dla optoelektroniki

Mroziewicz, B.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Lasery półprzewodnikowe wciąż pozostają przedmiotem zainteresowań nauki i przemysłu. Cz. 2, Lasery unipolarne (kaskadowe) : nowe perspektywy dla optoelektroniki

Autorzy

Mroziewicz B.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Semiconductor lasers are still of interest to science and industry. Part 2, Unipolar (quantum cascade) lasers new prospects for optoelectronics

Języki publikacji

Abstrakty

Przedstawiono nowe możliwości zastosowań laserów półprzewodnikowych wynikające z postępu prac nad kwantowymi laserami kaskadowymi. Całość materiału została uzupełniona krótkimi wykładami wyjaśniającymi zasady działania i budowy omawianych laserów.

Quantum cascade lasers and applications that benefit from their development. The content is supplemented by short lectures on physics envolved in operation of these devices.

Słowa kluczowe

kwantowe lasery kaskadowe fizyka konstrukcje zastosowania

quantum cascade laser physics designs applications

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2005

Tom

Vol. 46, nr 6

Strony

35--42

Opis fizyczny

Bibliogr. 24 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Mroziewicz B.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

1. Mroziewicz B.: Lasery półprzewodnikowe wciąż pozostają przedmiotem zainteresowań nauki i przemysłu, cz. I: Lasery bipolarne - technologia podąża za potrzebami rynku, Elektronika nr 5, 2005, s. 30.
2. Gmachl C., Capasso F., Colombelli R., Paiella R., Sivco D. L., Choo A. Y.: Quantum cascade lasers shape up for trace-gas sensing, Laser Focus World, Sept. 2001, pp. 65-70.
3. Lee H., York P. K., Menna R. J., Martinelli R. U.: Room-Temperature 2,78 μm AlGaAsSb/InGaAsSb Quantum-Well Lasers, Appl. Phys. Lett., 66, (5), 1995, pp. 1942-1944.
4. Choi H. K., Turner G. W., Mantra M. J., Connors M. K.: 175 K Continous wave operation of InAsSb/InAlAsSb guantum-well diode lasers emitting at 3,5 μm, Appl. Phys. Lett., 68, (21), 1996, pp. 2936-2938.
5. Wu D., Razeghi M.: Recent development in Sb-based MWIR interband laser diodes, Opto-Electr. Rev., 6, (3), 1998, pp. 195-205.
6. Hasenberg T. C., Chow, D. H., Kost A. R., Miles R. H., West L.: Demonstration of 3,5 μm Ga1-xInxSb/InAs superlattice diode laser, Electron. Lett. 31, (4), 1995, pp. 275-276.
7. Razeghi M., Wu D., Lane B., Rybałtowski A., Stein A., Diaz J., Yi H.: Recent achievement in MIR high power injection laser diodes (λ = 3 to 5 μm), LEOS Newsletter, Feb. 1999, pp. 7-10.
8. Martinelli R. U.: Mid-infrared wavelengths enhance trace-gas sensing, Laser Focus World, March 1996, pp. 77-81.
9. Tacke M.: New developments and applications of tunable IR lead salt lasers, Infrared Phys. Technol., vol. 36, 1995, pp. 447-463.
10. Schiess U. W.: Lead salt tunable diode lasers: Key devices for high sensitivity gas analysis, Proc. SPIE, vol. 3628, 1999, pp. 113-121.
11. Faist J., Capasso F., Sivco D. I., Sirtori C., Hutchinson A. L., Cho A. Y.: Quantum Cascade Laser, Science, vol. 264, 1994, pp. 553-556.
12. Faist J., Capasso F., Sirtori C., Sivco D. L., Baillargeon J. N., Hutchinson A. L., Chu S-N. G., Cho A. Y.: High power mid-infrared (λ ~ 5 μm) quantum cascade lasers operating above room temperature, Appl. Phys. Lett., vol. 68, 26, 1996, pp. 3680-3682.
13. Matthews S. J.: Building with atomic layers, Laser Focus World, Feb. 2001, pp. 141-144.
14. Capasso F., Paiella R., Martini R., Colombelli R., Gmachl C., Myers T. L., Taubman M. S., Williams R. M., Bethea C. G., Unterrainer K., Hwang H. Y., Sivco D. L. Cho A. Y. Sergent A. M., Liu H. C., Whittaker E. A.: Quantum Cascade Lasers: Ultrahigh-Speed Operation, optical Wireless Communication, Narrow Linewidth, and Far-Infrared Emission, IEEE J. Quantum Electron., vol. 38, No 6, 2002, pp. 511-532.
15. Faist J., Hofstetter D., Beck M., Aellen T., Rochat M., Blasser S.: Bound-to-Continuum and Two-Photon Resonance Quantum-Cascade Lasers for High Duty Cycle, High-Temperature operation, IEEE J. Quantum Electron., vol. 38, No 6, 2002, pp. 533-546.
16. Hofstetter D., Beck M., Aellen T., Faist J., Oesterle U., Ilegems M., Gini E., Melchior H.: Distributed-Feedback Quantum Cascade Lasers Emitting in the 9-μm Band With InP Top Cladding Layers, IEEE Photon. Techn. Lett., vol. 14, No 1, 2002, pp. 18-20.
17. Gmachl C., Capasso F., Colombelli R., Paiella R., Sivco D. L., Cho A. Y.: Quantum cascade lasers shape up for trace-gas sensing, Laser Focus World, Sept. 2001, pp. 65-70.
18. Sirtori C., Faist J., Capasso F., Sivco D. I., Hutchinson A. L., Cho A. Y.: Quantum cascade laser with plasmon-enhanced waveguide operating at 8,4 μm wavelength, Appl. Phys. Lett., vol. 66, 1995, pp. 3242-3244.
19. Faist J., Gmachl C., Capasso F., Sivco D. I., Baillargeon J. N., Hutchinson A. L., Cho A. Y.: Distributed feedback quantum cascade lasers', Appl. Phys. Lett., vol. 70, 1997, pp. 2670-2672.
20. Gmachl C., Capasso F., Kohler R., Tredicucci A., Hutchinson A. L., Sivco D. L., Baillargeon J. N., Cho A. Y.: The Sense-Ability of Semiconductor Lasers, Circuit & Devices, May 2000, pp. 10-18.
21. Colombelli R., Capasso F., Gmachl C., Hutchinson A. L., Sivco D. I., Tredicucci A., Wanke M. C., Sergent A. M., Cho A. Y.: Far-infrared surface-plasmon quantum-cascade lasers at 21,5 μm and 24 μm wavelengths, Appl. Phys. Lett., vol. 78, 2001, pp. 2620-2622.
22. Rui Q., Yang B. H., Yang D., Zhang D., Lin C-H., Murry S. J., Wu H., Pei S. S.: High power mid-infrared interband cascade lasers based on type-II quantum wells, Appl. Phys. Lett., vol. 71, 1997, pp. 2409-2411.
23. Start-up enters the quantum cascade laser market place, Opto & Laser Europe, Dec. 2004, p. 5.
24. Mechold L., Kunsch J.: QCL modules are ready for industrial applications, Laser Focus World, May 2004, pp. 88-92.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA0-0004-0015