Źródła szumów w rezystorach grubowarstwowych na bazie dwutlenku rutenu

• Autorzy: Kolek A. , Zawislak Z. , Stadler A. W.

Warianty tytułu

EN

Noise sources In RuO2 based thick film resistors

• Konferencja: International Conference MIXDES 2005 (12 ; 22-25.06.2005 ; Kraków, Poland)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono metodę pomiarów weryfikujących koncepcję, zgodnie z którą źródłem szumów niskoczęstotliwościowych są systemy dwustanowe o kinetyce aktywowanej termicznie. Pokazano, że takie systemy wywołują szumy w rezystorach grubowarstwowych wykonanych z past rezystywnych na bazie dwutlenku rutenu i szkła.

EN

A study on low-frequency noise sources in thick film resistors made of resistive pastes based on ruthenium dioxide and glass has been presented. The paper focuses on the excess noise spectrum dependence on temperature in the range 77 K < T < 300 K. Experimental data have been then analyzed to extract characteristic values of activation energy and time constant describing unique features of the measured spectra. It has been proved that the noise in RuO2 + glass thick film resistors is caused by two-states systems of thermally activated kinetics.

Słowa kluczowe

PL

rezystory grubowarstwowe; szumy niskoczęstotliwościowe; dwutlenek rutenu; spektroskopia szumowa

EN

thick film resistors; low-frequency noise; ruthenium dioxide; noise spectroscopy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 10
• Strony: 38--40
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Kolek A.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

autor

Zawislak Z.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

autor

Stadler A. W.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

Bibliografia

• 1. Machlup S.: J. Appl. Phys. 25, 341-343, 1958.
• 2. Dutta P„ Horn P.M.: Rev. Mod. Phys. 53, 497-516, 1981.
• 3. Chen T. M., Su S. F., Smith D.: Solid State Electronics 25, 821-827, 1982.
• 4. Masoero A. et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 16, 669-674, 1983.
• 5. Pellegrini В., Saletti R., Terreni P., Prudenziati M.: Phys. Rev. В 27, 1233-1243, 1983.
• 6. Kolek A., Ptak P., Zawiślak Z., Mleczko K., Stadler A. W.: Proc. 25th Int. Spring Sem. on Electronics Technol., ISSE 2002, Prague, Czech Rep., 142-146, 2002.
• 7. Ptak P., Kolek A., Zawiślak Z., Mleczko K., Stadler A. W.: Proc. 26” Int. Spring Sem. on Electronics Technol., ISSE 2003, Stara Leśna, Slovak Rep., 196-201,2003.
• 8. Koch R.H.: Phys. Rev. В 48, 12217-12222, 1993. 40