Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button


Przegląd Elektrotechniczny

Tytuł artykułu

Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs

Autorzy Bisewski, D.  Zarębski, J. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
PL Badanie parametrów termicznych tranzystorów GaAs i SiC MESFET
Języki publikacji EN
EN The paper deals with a problem of measuring of the thermal parameters - the thermal resistance and the transient thermal impedance of MESFETs made of both the gallium arsenide (GaAs-MESFET) and silicon carbide (SiC-MESFETs). The measuring set proposed by the authors, is presented. SiC and GaAs MESFETs operating at different cooling conditions are investigated. The strong influence of the ambient temperature and the device dissipated power on the device thermal parameters are observed. The new analytical dependence of the MESFET thermal resistance on the ambient temperature and the dissipated power is proposed.
PL Praca dotyczy problematyki pomiaru i modelowania parametrów termicznych - rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET wykonanych z arsenku galu (GaAs-MESFET) oraz węglika krzemu (SiC-MESFET). Omówiono metodę pomiaru parametrów termicznych tranzystorów MESFET z wykorzystaniem zaproponowanego przez autorów systemu pomiarowego. Przedstawiono wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tranzystorach na wartości ich parametrów termicznych.
Słowa kluczowe
PL tranzystory MESFET   modelowanie   pomiar parametrów termicznych   pomiar temperatury  
EN MESFETs   modeling   thermal variable measurement   temperature measurement  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Przegląd Elektrotechniczny
Rocznik 2011
Tom R. 87, nr 1
Strony 271--274
Opis fizyczny Bibliogr. 10 poz., rys., tab.
autor Bisewski, D.
autor Zarębski, J.
[1] Zarębski J., Modelling, Simulations and Measurements of Electrothermal Characteristics in Semiconductor Devices and Electronic Circuits, Proceedings of Gdynia Maritime Academy, Gdynia, (1996)
[2] Stephens C. E., Sinnadurai F. N., A surface temperature limit detector using nematic liquid crystals with an application to microcircuits, Journal of Physics E: Scientific Instruments, Vol. 7, (1974), No. 8, 641-643
[3] Walshak L. G., Poole G. E., Thermal resistance measurement by IR scaning, Microwave Journal, Vol. 16, (1977), 62-65
[4] Estreich D. B., A DC Technique for Determining GaAs MESFET Thermal Resistance, IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, Vol. 12, (1989), No. 4, 67-69
[5] Siegal B. S., A proposed method for testing thermal resistance of MESFETs, Microwave Systems News, Vol. 7, (1977), 67-69
[6] Górecki K., Zarębski J., Microcomputer System for Measuring Thermal Parameters of a Class of Semiconductor Devices and Integrated Circuits, Metrology and measurement systems, Vol. 8, (2001), No. 4, 379-395
[7] Blackburn D. L., Oettinger F. F., Transient Thermal Response Measurement of Power Transistors, IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, Vol. IECI-22, (1975), No. 2, 134-141
[8] Górecki K., Zarębski J., Parameters Estimation of Thermal Model of Semiconductor Devices, Electronics and Telecommunications Quarterly, (2006), No. 3, 347-360
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BPW8-0016-0087