PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Microwave dielectric properties of BiFeO3 multiferoic films deposited on conductive layers

Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Nondoped BiFeO3 (BFO) and doped Bi0.9La0.1Fe0.9Mn0.1O3 (BLFMO) thin films (d = 200-350 nm) were grown at 650- 750 °C by RF sputtering on Si and SrTiO3(100), coated by conductive LaNiO3 films and La2/3Ca1/3MnO3/SrRuO3 bilayers. The complex dielectric permittivity of the films was measured at room temperature in the frequency range from 10 MHz to 10 GHz using parallel plate capacitor structures. Dielectric properties of the polycrystalline BFO films were compared with those of the epitaxial quality BLFMO films, and it was seen that the latter has better microwave performance than the former. The dielectric losses were below 0.05 at 1 GHz frequency, which may be acceptable for microwave applications.
Rocznik
Strony
41--46
Opis fizyczny
Bibliogr. 14 poz.,
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
  • Vilnius University Faculty of Physics Sauletekio 9 Vilnius Lithuania
Bibliografia
  • [1] FIEBIG M., J. Phys. D, 38 (2005), R123.
  • [2] SMOLENSKII G.A., CHUPIS I.E., Sov. Phys. Usp., 25(1982), 475
  • [3] WANG J., NEATON J.B., ZHENG H., NAGARAJAN V., OGALE S.B., LIU B., VEHLAND D.,VAITHYANATHAN V., SCHLOM D.G., WAGHMARE U.V., SPALDIN N.A., RABE K.M., WUTTIG M., RAMESH R., Science, 299 (2003), 1719.
  • [4] YUAN G. L., ORA S. W., LIU J. M., LIU Z.G., Appl.Phys. Lett., 89 (2006), 052905.
  • [5] YU B., LI M., LIU J., GUO D., PEI L., ZHAO X., J.Appl. Phys., 41 (2008), 06503.
  • [6] TAKAHASHI K., KIDA N., TONOUCHI M., Phys. Rev.Lett., 96 (2006), 117402.
  • [7] CHEN J.-C., WU J.-M., Appl. Phys. Lett., 91 (2007),182903.
  • [8] ZHANG X-Y., SONG Q., XU F., ONG C.K., Appl.Phys. Lett., 94 (2009), 022907.
  • [9] KAMBA S., NUZHNYY D., SAVINOV M., Sˇ EBEK J.,PETZELT J., PROKLESKA ˇ J., HAUMONT R., Phys. Rev.B., 75 (2007), 024403.
  • [10] QI X., DHO J., TOMOV R., BLAMIRE M.G., MACMANUS-DRISCOL J.L., Appl. Phys.Lett., 86 (2005),062903.
  • [11] MA Z., BECKER A.J., POLAKOS P., HUGGINS H.,PASTALAN J., WU H., WATTS K., WONG Y.H.,MANKIEWICH P., IEEE Trans. Electron Devices, 45(1998), 1811.
  • [12] SOBIESTIANSKAS R., VENGALIS B., BANYS J., Proc.IEEE 18thIntl. Symp. Applications of Ferroelectrics ISAF 2009, Xian, China, 2009, p.232.
  • [13] LANCASTER M.J., POWELL J., PORCH A., Supercond.Sci. Technol., 11 (1998), 1323.
  • [14] KRAINIK N.N., KHUCHUA N.P., ZHDANOVA V.V., EVSEEV V.A., Sov. Phys. Solid State, 8 (1966), 654.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPW7-0018-0064
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.