PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Spin-dependent transport in ferromagnetic single-electron transistors with non-collinear magnetizations

Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Electronic transport in a ferromagnetic single-electron transistor is analysed theoretically in the sequential tunnelling regime. One of the external electrodes and the central part (island) of the device are assumed to be ferromagnetic, with the corresponding magnetizations being non-collinear. The analysis is based on the master equation method, and the respective transition rates are determined from the Fermi golden rule. It is shown that the electric current and corresponding tunnel magnetoresistance (TMR) strongly depend on the angle between the magnetizations. For an arbitrary magnetic configuration, TMR is modulated by charging effects, which give rise to characteristic dips (cusps) at the bias voltages corresponding to the Coulomb steps in the current-voltage characteristics.
Rocznik
Strony
461--467
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz.
Twórcy
autor
autor
  • Department of Physics, Adam Mickiewicz University, Umultowska 85, 61-614 Poznań, Poland
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPW7-0003-0048
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.