PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

How to make GaMnAs with high ferromagnetic phase transition temperature?

Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
We analyze the role of structural defects in GaMnAs and demonstrate how their density can be drastically reduced by in situ post-growth annealing under As capping. Modifications of the magnetic, transport and structural properties of the annealed GaMnAs layers are presented. The main result is that the Curie temperatures are strongly increased relative those of the as-grown layers, from typically 70 - 80 K to 150 - 160 K. The annealed layers exhibit well-ordered smooth surfaces, suitable for further epitaxial overgrowth.
Rocznik
Strony
617--625
Opis fizyczny
Bibliogr. 28 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
  • Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, sadow@ifpan.edu.pl
Bibliografia
  • [1] FLATTÉ M.E., VIGNALE G., Appl. Phys. Lett., 78 (2001), 1273.
  • [2] MATTANA R., ELSEN M., GEORGE J.-M., JAFFRČS H., NGUYEN VAN DAU F., FERT A., WYCZISK M.F., OLIVIER J., GALTIER P., LÉPINE B., GUIVARC’H A., JÉZÉQUEL G., Phys. Rev. B, 71 (2005), 075206.
  • [3] OHNO H., SHEN A., MATSUKURA F., OIWA A., ENDO A., KATSUMOTO S., IYE Y., Appl. Phys. Lett., 69 (1996), 363.
  • [4] TANG H.X., KAWAKAMI R.K., AWSCHALOM D.D., ROUKES M.L., Phys. Rev. Lett.. 90 (2003), 107201.
  • [5] CHIBA D., SATO Y., KITA T., MATSUKURA F., OHNO H., Phys. Rev. Lett., 93 (2004), 216602.
  • [6] SAWICKI M., WANG K.-Y., EDMONDS K.W., CAMPION R.P., STADDON C.R., FARLEY N.R.S., FOXON C.T., PAPIS E., KAMINSKA E., PIOTROWSKA A., DIETL T., GALLAGHER B.L., Phys. Rev. B, 71 (2005), 121302.
  • [7] DIETL T., OHNO H., MATSUKURA F., Phys. Rev. B, 63 (2001), 195205.
  • [8] DIETL T., Semicond. Sci. Technol., 17 (2002), 377.
  • [9] NAZMUL A.M., AMEMIYA T., SHUTO Y., SUGAHARA S., TANAKA M., Phys. Rev. Lett., 95 (2005), 017201.
  • [10] MASEK J., MACA F., Acta Phys. Polon. A, 100 (2001), 319.
  • [11] BLINOWSKI J., KACMAN P., Phys. Rev. B, 67 (2003), 121204.
  • [12] EDMONDS K.W., BOGUSŁAWSKI P., WANG K.Y., CAMPION R.P., NOVIKOV S.N., FARLEY N.R.S., GALLAGHER B.L., FOXON C.T., SAWICKI M., DIETL T., BUONGIORNO NARDELLI M., BERNHOLC J., Phys. Rev. Lett., 92 (2004), 037201.
  • [13] CHIBA D., TAKAMURA K., MATSUKURA F., OHNO H., Appl. Phys. Lett., 82 (2003), 3020.
  • [14] KU K.C., POTASHNIK S.J., WANG R.F., CHUN S.H., SCHIFFER P., SAMARTH N., SEONG M.J., MASCARENHAS A., JOHNSTON-HALPERIN E., MYERS R.C., GOSSARD A.C., AWSCHALOM D.D., Appl. Phys. Lett., 82 (2003), 2302.
  • [15] KIRBY B.J., BORCHERS J.A., RHYNE J.J., TE VELTHUIS S.G.E., HOFFMANN A., O'DONOVAN K.V., WOJTOWICZ T., LIU X., LIM W.L., FURDYNA J.K., Phys. Rev. B, 69 (2004), 081307.
  • [16] OHNO H., Science, 281 (1998), 951.
  • [17] SADOWSKI J., DOMAGALA J.Z., BAK-MISIUK J., KOLESNIK S., SAWICKI M., SWIATEK K., KANSKI J., ILVER L., STRÖM V., J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (2000), 1697.
  • [18] LIU X., PRASAD A., NISHIO J., WEBER E.R., LILIENTAL-WEBER Z., WALUKIEWICZ W., Appl. Phys. Lett., 67 (1995), 279.
  • [19] SADOWSKI J., MATHIEU R., SVEDLINDH P., DOMAGALA J.Z., BAK-MISIUK J., SWIATEK K., KARLSTEEN M., KANSKI J., ILVER L., ĹSKLUND H., SÖDERVALL U., Appl. Phys. Lett., 78 (2001), 3271.
  • [20] STAAB T.E.M., NIEMINEN R.M., GEBAUER J., KRAUSE-REHBERG R., LUYSBERG M., HAUGK, M., FRAUENHEIM TH., Phys. Rev. Lett., 87 (2001), 045504.
  • [21] YU K.M., WALUKIEWICZ W., WOJTOWICZ T., KURYLISZYN I., LIU X., SASAKI Y., FURDYNA J.K., Phys. Rev. B, 65 (2002), 201303.
  • [22] WOLOS A., KAMINSKA M., PALCZEWSKA M., TWARDOWSKI A., LIU X., WOJTOWICZ T., FURDYNA J.K., J. Appl. Phys. 96, 530 (2004).
  • [23] SADOWSKI J., DOMAGALA J.Z., Phys. Rev. B, 69 (2004), 075206.
  • [24] ADELL M., ILVER L., KANSKI J., STANCIU V., SVEDLINDH P., SADOWSKI J., DOMAGALA J.Z., TERKI F., HERNANDEZ C., CHARAR S., Appl. Phys. Lett., 86 (2005), 112501.
  • [25] STONE M.B., KU K.C., POTASHNIK S.J., SHEU B.L., SAMARTH N., SCHIFFER P., Appl. Phys. Lett., 83 (2003), 4568
  • [26] KIRBY B.J., BORCHERS J.A., RHYNE J.J., O'DONOVAN K.V., WOJTOWICZ T., LIU X., GE Z., SHEN S., FURDYNA J.K., Appl. Phys. Lett., 86 (2005), 072506.
  • [27] MALFAIT M., VANACKEN J., MOSHCHALKOV V.V., VAN ROY W., BORGHS G. Appl. Phys. Lett., 86 (2005), 132501.
  • [28] MAKSIMOV O., SHEU B.L., XIANG G., KEIM N., SCHIFFER P., SAMARTH N., J. Crystal Growth, 269 (2004), 298.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPW1-0021-0017
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.