Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BPOH-0050-0003

Czasopismo

Przegląd Elektrotechniczny

Tytuł artykułu

Charakteryzacja termoczułych parametrów wybranych krzemowych i węglikowo-krzemowych przyrządów mocy

Autorzy Nowak, M.  Rąbkowski, J.  Barlik, R. 
Treść / Zawartość http://pe.org.pl/
Warianty tytułu
EN Characterisation of temperature sensitive parameters of selected silicon and silicon–carbide power devices
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL W artykule przedstawiono wyniki badań reprezentatywnych próbek kilku typów łączników mocy z krzemu i węglika krzemu jak dioda PiN, dioda Shottky’ego, IGBT oraz JFET Stosując komorę termiczną z możliwie dokładnym pomiarem temperatury wyznaczono charakterystyki podające zmienność wybranych parametrów w przedziale 25 - 150 oC . Pomiary prowadzono z zastosowaniem krótkich, kilkumikrosekundowych impulsów tak by nie zakłócić warunków termicznych.
EN In the paper, results of laboratory investigation of representative samples of semiconductor silicon and silicon-carbide power devices, such as PiN diode, Shottky diode, IGBT and JFET, are presented. With use of a thermal chamber the characteristics of temperature sensitive parameters for selected types of devices were determined by measurements in range 25 – 150 grad C using short pulses, which are not able to disturb thermal conditions.
Słowa kluczowe
PL parametr termoczuły   węglik krzemu   SiC-JFET   IGBT   przyrządy półprzewodnikowe  
EN temperature sensitive parameters   silicon carbide   SiC JFET   IGBT   device characterization  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Przegląd Elektrotechniczny
Rocznik 2008
Tom R. 84, nr 7
Strony 12--16
Opis fizyczny Bibliogr. 17 poz., schem., wykr.
Twórcy
autor Nowak, M.
autor Rąbkowski, J.
autor Barlik, R.
  • Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, mnowak@ee.pw.edu
Bibliografia
[1] Baliga B. J. Silicon Carbide Power Devices World Scientific Publishing Company 2006
[2] Janke W.: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa 1992,
[3] Dąbrowski J.: Modelowanie diod Schottky’ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych. Praca doktorska, Politechnika Łódzka, 2007,
[4] Oleksy J., Janke W.: SiC and Si Schottky Diodes Thermal Characteristics Comparison. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics -MicroTherm 2007 , 25.06-27.06.2007 Łódź , pp.117÷122,
[5] Funaki T., Balada J.C., Junghans J., Kashyap A.S., Mantooth H.A., Barlow T., Kimoto T., Hikihara T.: Power Conversion with SiC Devices at Extremaly High Ambient Temperatures. IEEE Transactions on Power Electronics. Vol.22. No.4, July 2007, pp.1321-1328,
[6] Barlik R., Rabkowski J., Nowak M.: Investigations of Transistor IGBT and Silicon – Carbide Schottky Diode Switch. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics - MicroTherm 2007 , 25.06-27.06.2007 Łódź , pp.233-236,
[7] Barlik R., Rąbkowski J., Nowak M.: Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice. Przegląd Elektrotechniczny, Nr 11/2006, s.1-6,
[8] Konczakowska A., Szewczyk A., Barlik R., Nowak M., Rąbkowski J.: Silicon Carbide Application Issues. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics -MicroTherm 2007 , 25.06-27.06.2007 Łódź , pp.229-232,
[9] Funaki, T.; Kashyap, A.S.; Mantooth, H.A.; Balda, J.C.; Barlow, F.D.; Kimoto, T.; Hikihara, T.; Characterization of SiC JFET for Temperature Dependent Device Modeling, Power Electronics Specialists Conference, 2006. PESC '06
[10] SiC User Forum: Potential of SiC In Power Electronics Applications, Proceedings of ECPE Seminar, Nurnberg, Germany,2006.
[11] 2nd SiC User Forum: Potential of SiC In Power Electronics Applications, Proceedings of ECPE/EPE Seminar, Copenhagen, Denmark,2007
[12] Hennel J. Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT 2003
[13] Schibli N.P. Nguyen T. Rufer A.C. A Three-Phase Multilevel Converter for High-Power Induction motors IEEE Trans on Power Electronics No.5. 1998 pp. 978 - 985
[14] Bhagwat M., Stefanovic R. Generalized structure of multilevel PWM inverter IEEE Trans on Ind. Appl. No.6. 1983 pp. 1057 1069.
[15] www.siced.de
[16] www.cree.com
[17] www. infineon.com
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BPOH-0050-0003
Identyfikatory