Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BGPK-1546-6078

Czasopismo

Inżynieria Chemiczna i Procesowa

Tytuł artykułu

Plasma chemical reactors (PChR), simulation of low-temperature radio-frequency discherges

Autorzy Kazimierski, P.  Kotecka, D. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
PL Chemiczne reaktory plazmowe. Symulacja niskotemperaturowych wyładowań w reaktorach mikrofalowych
Języki publikacji EN
Abstrakty
EN A short introduction to plasma chemical reactors (PChR), being the main tool of plasma chemistry - expanding field of research and applications, is given. The main idea, process parameters and typical set-ups are presented. Authors indicate the importance of attempts to create software for design and analysis of PRCh and demonstrate existing approaches in this field. A simple robust algorithm for simulation of RF plasma has been proposed and verified by comparison to the results presented in literature. The software is fast enough to be tested on a regular PC computer.
PL Przedstawiono plazmowe reaktory chemiczne (PChR) stanowiące podstawowe narzędzie chemii plazmy - dynamicznie rozwijającej się dziedziny nauki i techniki, która w ostatnich latach zyskuje coraz to nowe obszar zastosowania. Omówiono podstawowe rodzaje stosowanych konstrukcji, przedstawiono trudności w projektowaniu technologii plazmowych i doborze optymalnych parametrów procesu. Wskazano na potrzebę opracowania modeli plazmy użytecznych w komputerowych symulacjach PChR, a także omówiono stosowane rozwiązania. Zaproponowano prosty, a zarazem wydajny model plazmy RF, który posłużył do opracowania oprogramowania efektywnie symulującego pracę PChR na komputerze klasy PC. Model ten został pozytywnie zweryfikowany na podstawie danych literaturowych.
Słowa kluczowe
PL chemia plazmy   reaktor mikrofalowy   reaktor plazmowy  
EN PChR   plasma chemical reactor   plasma chemistry  
Wydawca Komitet Inżynierii Chemicznej i Procesowej Polskiej Akademii Nauk
Czasopismo Inżynieria Chemiczna i Procesowa
Rocznik 2006
Tom T. 27, z. 4
Strony 1595--1609
Opis fizyczny Bibliogr. 37 poz.,Rys., wykr.,
Twórcy
autor Kazimierski, P.
autor Kotecka, D.
  • Politechnika Łódzka
Bibliografia
[1] THENARD A., HEBD C.R., Seances Acad. Sci., 1874. 78,219.
[2] WILDE M.P., Berichte Deutsche Chem. Ges., 1874. 7, 4658.
[3] JONKERS J., BAKKER M., YANDERMULLEN J.A.M., J.Phys.D., Appl.Phys., 1997,30,1928.
[4] BOEUF J.P., PITCHFORD L.C., IEEE Trans. Plasma Sci., 1996. 24, 95.
[5] KRAWCZYK L., TYCZKOWSKI J., WOŹNIAK B. Proceedings of VIII Ogólnopolskie Sympozjum Chemii Plazmy. 2004. Słok k/Bełchatowa, 55.
[6] TYCZKOWSKI J., Electrical and Optical Properties of Plasma Polymers, [in:] Plasma polymer films, H. Biederman (Ed.), 2004, Imperiał College Press, London, 143.
[7] TYCZKOWSKI J., Cienkie warstwy polimerów plazmowych, Warszawa, WNT, 1990.
[8] SHI F.F., J.M.S.-Rev. Macromol. Chem. Phys., 1996, C36, 795.
[9] BIEDERMAN H., Plasma polymer films, Chapt. I, H. Biederman (Ed.), 2004, Imperiał College Press, London.
[10] TYCZKOWSKI J., KAZIMIERSKI P., FALLMAN W., OLCAYTUG F,, Three-Electrode Reactor for Plasma Deposition of Thin Multilayer (Dielectric - Semiconductor) Systems, patent Poland P-296609PL.
[11] ASSOCIATES K.R., Siglo-rf. The rf discharge modelling software. User's guide, Kinema Research Associates, Monument, Colorado USA, 1995.
[12] MEYYAPPAN M., Computational modelling in Semiconductor Processing, Boston, Artech House, 1995.
[13] ECONOMOU D.J., Thin Solid Films, 2000, 365, 348.
[14] KOLOBOY V., ARSLANBEKOY R., Microelectronic Eng., 2003. 69, 606.
[15] BONDARENKO G.G., KRISTIA Y.L, Yacuum, 1999, 53, 25.
[16] HAMMOND E.P., MAHESH K., MOIN P., J. Comput. Phys., 2002. 176, 402.
[17] HUNDSDORFER W., YERWER J.G., Numerical Solution of Time-Dependent Advection-Diffusion-Reaction Eąuations, Springer-Yerlag, 2003.
[18] JANSSEN G.M., Design of a General Plasma Simulation Model, Fundamental Aspects and Applications, Thesis in Centre for Technological Design, Technical University Eindhoven, Eindhoven, 2000.
[19] MINEA T.M., BRETAGNE J., GOUSSET G., MAGNE L., PAGNON D., TOUZEAU M., Surf. Coat. Technol., 1999. 116-119,558.
[20] NANBU K., Yacuum, 1996.47, 123.
[21] NIENHUIS G.J., GOEDHEER W.J., J.Appl.Phys., 1997, 82, 2060.
[22] SORIAC., PONTIGAF., PoNTIGA F., CASTELLANOS A., J. Comput. Phys., 2001, 171, 47.
[23] LiNY.-H., ADOMAITIS R.A., J. Comput. Phys., 2001. 171,731.
[24] YOU K.I., YOON N.S., HWANG S.M., Surf. Coat. Technol., 1999. 114,60.
[25] SURENDRA M., GRAVES D.B., IEEE Trans. Plasma Sci., 1991, 19, 144.
[26] BITTENCOURT J.A., Fundamentals ofplasmaphysics, Oxford, Pergamon Press, 1986.
[27] SHKAROFSKY I.P., JOHNSTON T.W., BRACHYNSKY M.P., The Particle Kinetics of Plasmas, Massachusetts, Addison Wesley Publ. Co., 1966.
[28] NiTSCHKE T.E., GRAYES D.B., J.Appl.Phys., 1994. 76, 5646.
[29] BOEUF J.P., Phys. Rev. A, 1987, 36, 2782.
[30] GOGOLIDES E., SAWINH.H., J.Appl.Phys., 1985. 72, 3971.
[31] GRAYES D.B., AIChE J., 1989,35, 1.
[32] HUANG K., Introduction to statistical physics, Taylor and Francis, 2001.
[33] BARNES M.S., COLTER T.J.,ELTA M.E., J. Appl. Phys., 1987,61,81.
[34] SCHARFETTER D.L., GUMMEL H.K., IEEE Trans. Electron Dev„ 1969, ED-16, 64.
[35] SURENDRA M., DALYIE M., Phys. Rev. E, 1993, 48, 3914 .
[36] BOGAERTS A., GIJBELS R., Spectrochimica Acta Part B, 1997, 52, 553.
[37] HARLOW F.H., WELCH J.E., Phys. Fluids, 1965, 8, 2182.
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BGPK-1546-6078
Identyfikatory