Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia

• Autorzy: Przyborowska K. , Dobrzański L. , Możdżonek M. , Surma B. , Brzozowski A. , Łapińska B.

Warianty tytułu

EN

Identification of position of the n+n and p+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowano metodę ujawniania obszarów typu n i p epitaksjalnej warstwy SiC metodą chemicznego barwienia. Złącze n+n lub p+p znajduje się pod powierzchnią płytki. Ujawnienie i pomiar położenia złącza wykonuje się na próbce zeszlifowanej pod niewielkim kątem. Przebadano kilka roztworów, spośród nich wybrano jeden dla którego wykonano próby barwienia warstw w różnych warunkach. Ustalono warunki prowadzenia procesu dające jednoznaczny pomiar grubości ujawnionych warstw. Opracowano technicznie prostą i nie wymagającą specjalistycznej aparatury metodę, której wyniki są porównywalne z wynikami otrzymanymi metodami optycznymi.

EN

A method of the chemical decoration of n and p SiC epitaxial layers has been established. Both n+n and p+p junctions are located under the wafer surface. The decoration and measurement of junction depth have been done using samples lapped at a small angle. Several staining solutions have been tested. In consequence, the best has been selected out of them to perform decoration under different circumstances. The processing conditions which enable an unambiguous thickness measurement have been determined. The reported method is simple and does not require specialised equipment. The results of junction depth measurements are consistent with those obtained using optical methods.

Słowa kluczowe

PL

SiC; grubość warstwy epitaksjalnej; barwienie chemiczne

EN

SiC; thickness of epitaxial layer; chemical decoration

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2011
• Tom: T. 39, nr 2
• Strony: 14--17
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., tab., fot

Twórcy

autor

Przyborowska K.

autor

Dobrzański L.

autor

Możdżonek M.

autor

Surma B.

autor

Brzozowski A.

autor

Łapińska B.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Procesy technologiczne w elektronice półprzewodnikowej, WNT Warszawa 1973, 231-236
• [2] Whoriskey J.P.: Two chemical stains for marking p-n junctions in silicon, J.Appl. Phys., 29, (1958) 867-868
• [3] Fuller C.S., Ditzenberger J.A.; Diffiision of donor and acceptor elements in silicon, JAppl. Phys., 27, (1956) 543-554
• [4] Knopp A. N.: Staining of diffused p-layers in n-type silicon with view to its application for evaluation of impurity profiles, Electrochem. Techn., 2, (1964) 156-160
• [5] Mc Donald B., GoetzbergerA.: Measurement of the depth of diffused layers in silicon by the grooving method, J. Electrochem. Soc., 109, 2, (1962) 138-144
• [6] Turner D. R.: Junction delineation on silicon in electrochemical displacement plating solutions, J. Electrochem. Soc., 106, (1959), 701-705