Pomiar koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej

• Autorzy: Brzozowski A.

Warianty tytułu

EN

Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono metodykę wyznaczania koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych węglika krzemu (SiC) poprzez pomiar charakterystyk pojemnościowo-napięciowych (C-U) obszaru zubożonego w zaporowo spolaryzowanych złączach Schottky'ego wytwarzanych za pomocą sondy rtęciowej. Omówiono przyczyny niedokładności pomiaru. Pokazano przykładowe wyniki pomiaru koncentracji nośników ładunku oraz określono rozrzuty wartości koncentracji nośników ładunku dla płytek monokryształów objętościowych oraz warstw epitaksjalnych SiC.

EN

A methodology is described by which the charge carrier concentration can be determined in the wafers of SiC bulk crystals and epitaxial layers. It is based on measuring the capacitance-voltage (C-U) characteristics for the depleted region in a reverse-biased Schottky contact made by a mercury probe. The factors responsible for the measurement inaccuracy are discussed. The methodology is exemplified by the results showing the charge carrier concentrations in the bulk SiC wafers and epitaxial layers. The dispersions of the concentration values for the bulk and epitaxial material are also given.

Słowa kluczowe

PL

warstwa epitaksjalna; płytka monokryształów objętościowych; wyznaczanie koncentracji nośników ładunku; kalibracja sondy rtęciowej

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2008
• Tom: T. 36, nr 3
• Strony: 76--91
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Brzozowski A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Synowiec Z., Ściana B., Panek M.: Badanie pojemnościowo-napięciowe półprzewodników A(III)B(V) z wykorzystaniem złącza elektrolit-półprzewodnik, Elektronika, 36, 8, (1995), 8-14
• [2] Brzozowski A., Szymkiewicz A.: Pomiar warstw epitaksjalnych metodą C-U przy użyciu sondy rtęciowej, Materiały Elektroniczne, 4, (44), (1983), 36-56
• [3] Norma ASTM F1392 - 93: Standard test method for determining net carrier density profiles in silicon wafers by capacitance-voltage measurements with a mercury probe, (1993), 651-663