Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BAR2-0003-0026

Czasopismo

Wiadomości Elektrotechniczne

Tytuł artykułu

Węglik krzemu - półprzewodnik dla wysokotemperaturowych przyrządów energoelektronicznych

Autorzy Januszewski, S. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
EN Silicon carbide - a semiconductor for high temperature power electronic devices
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL Krzem już ponad 40 lat jest podstawowym materiałem półprzewodnikowym przeznaczonym do produkcji przyrządów energoelektronicznych. Jednak stale wzrastające zapotrzebowanie na przyrządy półprzewodnikowe zdolne do jednoczesnego działania przy wysokim napięciu i w wysokiej temperaturze powoduje, że ciągle badane są właściwości innych materiałów półprzewodnikowych. Właściwości krzemu i arsenku galu (GaAs), z których wykonuje się przyrządy dużych mocy, ulegają degradacji w podwyższonych temperaturach występujących w niektórych zastosowaniach, takich jak motoryzacja, przemysł chemiczny i techniki kosmiczne. Dzięki szerokiemu pasmu zabronionemu i dużemu krytycznemu natężeniu pola powodującemu przebicie, węglik krzemu (SiC) jest uznawany za najbardziej obiecujący dla tych zastosowań.
EN Properties of silicon carbide. Details of semiconductor devices based on SiC, their housings and thermal resistance.
Słowa kluczowe
PL krzem   arsenek galu   półprzewodniki  
EN silicon carbide   semiconductor   thermal resistance  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Wiadomości Elektrotechniczne
Rocznik 2001
Tom R. LXIX, nr 3
Strony 106--110
Opis fizyczny Bibliogr. 13 poz., tab., wykr., rys.
Twórcy
autor Januszewski, S.
  • Instytut Elektrotechniki Warszawa
Bibliografia
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BAR2-0003-0026
Identyfikatory