Nisze rynkowe szansą dla polskiej elektroniki : na przykładzie VIGO System S.A.

• Autorzy: Piotrowski J. , Grudzień M.

Warianty tytułu

EN

Niche markets as a chance to succeed for polish electronics base on an example of VIGO System S.A.

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono zagadnienia rozwoju małych firm zajmujących się zaawansowanymi technologiami elektronicznymi w Polsce. Na przykładzie firmy VIGO System S.A. pokazano możliwości skutecznego opanowania nisz w dziedzinie optoelektroniki na rynku światowym. Przedstawiono metody umacniania pozycji konkurencyjnej i wizerunku firmy na rynku.

EN

Some issues of development of small, high-tech electronics, enterprises in Poland are discussed. Based on an example of VIGO System S.A., the possibility of world niche market capturing, company competition position and image reinforcement has been shown.

Słowa kluczowe

PL

firma odpryskowa; detektor podczerwieni; detektor HgCdTe; MOCVD; epitaksja; optoelektronika

EN

spin-off company; infrared detector; MCT detector; MOCVD; epitaxy; optoelectronics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 5
• Strony: 11--17
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys.

Twórcy

autor

Piotrowski J.

• VIGO System S.A., Warszawa

autor

Grudzień M.

• VIGO System S.A., Warszawa

Bibliografia

• 1. Piotrowski J.: A new method of obtaing CdxHg1-xTe thin films. Electron Technology. 5, 87-89 (1972).
• 2. Piotrowski J., Nowak Z., Grudzień M., Galus W., Adamiec K., Djurić Z., Jović V., Djinović Z.: High capability, quasiclosed growth system for isothermal vapour phase epitaxy of (Hg, Cd) Te. Thin Solid Film, 161, 157-169, (1988).
• 3. Piotrowski J., Galus W. and Grudzien M.: Near Room-Temperature IR Photo-detectors. Infrared Phys. 31, 1, 1-48, (1991).
• 4. Piotrowski J.: Hg1-xCdxTe Infrared Photodetectors. In Infrared Photodetectors, 391-494, SPIE, Bellingham (1995).
• 5. Piotrowski J. and Razeghi M.: Improved performance of IR photodetectors with 3D gap engineering. Proc. SPIE, 2397, 180-192 (1995).
• 6. Piotrowski J., Nowak Z., Antoszewski J., Musca C., Dell J. and Faraone L.: A novel multi-heterojunction HgCdTe long-wavelength infrared photovoltaic detector for operation under reduced cooling conditions. Semicond. Sci. Technol. 13, 1209-1214 (1998).
• 7. Piotrowski J., Grudzień M., Nowak Z., Orman Z., Pawluczyk J., Romanis M., Gawron W.: Uncooled photovoltaic Hg1-xCdxTe LWIR detectors. Proc. SPIE, 4130, 175-184 (2000).
• 8. Piotrowski J.: Uncooled operation of IR photodetectors. Optoelectr. Rev. 12, 11-122 (2004).
• 9. Piotrowski A., Madejczyk P., Gawron W., Klos K., Romanis M., Grudzien M., Rogalski A. and Piotrowski J.: MOCVD growth of Hg1-xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Optoelectr. Rev. 12, 453-458 (2004).