Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-95e5ba78-c0eb-4158-a4db-6b11de3d5da4

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Tytuł artykułu

Domieszkowanie donorowe Si ze źródła ciekłego do zastosowania w produkcji ciągłej ogniw słonecznych

Autorzy Panek, P.  Drabczyk, K.  Socha, R. P. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
EN Donor doping of silicon from the liquid source applied in the solar cells continuous production
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL Niniejsza praca omawia możliwości użycia kwasu H3PO4, jako źródła domieszki donorowej do krzemu typu p w kontekście zastosowania otrzymanej struktury w celu wytwarzania krzemowych ogniw słonecznych metodą produkcji ciągłej. Opracowaną metodą uzyskano emiter typu n o żądanych wartościach rezystancji warstwowej w przedziale 10...90 Ω/. Na bazie otrzymanej struktury wytworzono ogniwa słoneczne o sprawności konwersji fotowoltaicznej ponad 15%. W artykule omówiono także technologiczne czynniki wpływające na parametry charakterystyki prądowo-napięciowej i sprawności fotokonwersji wytworzonych ogniw słonecznych.
EN This paper discusses the possibility of application of H3PO4, acid in a spray source of dopant donor into the p type silicon. The method can be used in production of silicon solar cells in a continuous manufacturing process. The n-type emitter was obtained by this procedurę leading to layer resistance in the range of 10...90 Ω/. The silicon solar cell was produced with the use of spray technology and characterized by conversion efficiency over 15%. The technological factors affecting the current-voltage characteristic and conversion efficiency of the solar cells have been discussed.
Słowa kluczowe
PL proces dyfuzji domieszki   ogniwo słoneczne  
EN doping process   solar cells  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Rocznik 2013
Tom Vol. 54, nr 8
Strony 88--90
Opis fizyczny Bibliogr. 4 poz., wykr., tab.
Twórcy
autor Panek, P.
  • Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków
autor Drabczyk, K.
  • Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków
autor Socha, R. P.
  • Instytut Katalizy i Fizykochemii Powierzchni im. J. Habera PAN, Kraków
Bibliografia
[1] Rauter G., Csatáry P., Schneider H., Beigl M.: Scaling challenges for photovoltaic manufacturing facilities. Photovoltaics International, 3 (2009) 14-23.
[2] Ebong A., Cooper I. B., Rounsaville B., Tate K., Rohatgi A., Bunkenburg B., Cathey J., Kim S., Ruf D.: High efficiency inline diffused emitter (ILDE) solar cells on mono-crystalline CZ silicon. Progress in Photovoltaics: Research and applications, 18 (2010) 590-595.
[3] Hoornstra J., van Strien W., Lamers M., Tool K., Weeber A.: High throughput in-line diffusion: emitter and cell results. Proc. of the 22nd EPSEC, 3-7 September 2007, Milan, Italy, 1586-1588.
[4] Bazer-Bachi B., Sabac A., Monna R., Jourdan J., Lemiti M.: Back to back technique for P and B doping using planar source diffusion. Proc. of the 22nd EPSEC, 3-7 September 2007, Milan, Italy, 1458-1462.
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-95e5ba78-c0eb-4158-a4db-6b11de3d5da4
Identyfikatory