Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-582a0d72-d398-4c2c-87bc-d080e98d0aaa

Czasopismo

Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały

Tytuł artykułu

Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

Autorzy Swadowski, M.  Zygoń, K.  Jąderko, A. 
Treść / Zawartość http://www.imnipe.pwr.wroc.pl/wyd-stud.dhtml
Warianty tytułu
EN High-frequency power converter using modern GaN transistors
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL W artykule opisano przykład zastosowania nowoczesnych tranzystorów z azotku galu do wykonania przekształtnika napięcia w aplikacji nagrzewnicy indukcyjnej. Przedstawiono zalety nowoczesnych tranzystorów GaN w porównaniu do tranzystorów MOSFET. Znacznie zredukowano całkowite straty mocy oraz maksymalne temperatury pracy złącz tranzystorów przekształtnika. Pokazano wyniki porównawczej analizy termowizyjnej przekształtników zbudowanych na tranzystorach MOSFET oraz GaN. Pokazano również próby działania prototypu przekształtnika z nagrzewnicą indukcyjną.
EN Modern transistors made with gallium nitride in the application of induction heater voltage converter are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs are shown. Total power losses and maximum junctions temperature are significantly reduced.
Słowa kluczowe
PL tranzystory GaN   straty łączeniowe   wysoka częstotliwość   grzanie indukcyjne   termografia  
Wydawca Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Czasopismo Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
Rocznik 2015
Tom Vol. 71, nr 35
Strony 29--39
Opis fizyczny Bibliogr. 9 poz., rys., tab.
Twórcy
autor Swadowski, M.
  • Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa, maciej940@gmail.com
autor Zygoń, K.
autor Jąderko, A.
  • Politechnika Częstochowska, Wydział Elektryczny, Al. Armii Krajowej 17, 42-200 Częstochowa, aj@el.pcz.czest.pl
Bibliografia
[1] BARANOWSKI J., CZAJKOWSKI G., Układy elektroniczne, cz. II, Układy analogowe nieliniowe i impulsowe, WNT, Warszawa 2004.
[2] BARLIK R., NOWAK M. i in., Układy energoelektroniczne, PWN, Warszawa 1982.
[3] GÓRECKI P., Nowoczesne tranzystory mocy, czyli długa droga do SiC i GaN, Elektronika Praktyczna, 2014, 3, 46–61.
[4] JĄDERKO A., SWADOWSKI M., ZYGOŃ K., Wydajne metody chłodzenia małogabarytowych przekształtników o wysokiej gęstości mocy, Materiały XXV Sympozjum Środowiskowego PTZE, Wieliczka, 28 czerwca–1 lipca 2015, 129–131.
[5] JĄDERKO A., SWADOWSKI M., ZYGOŃ K., Optymalizacja nowoczesnych zasilaczy impulsowych, Przegląd Elektrotechniczny, 2015, Vol. 91, nr 1, 152–155.
[6] TUNIA M., BARLIK R., Teoria przekształtników, Oficyna Wydawnicza PW, Warszawa 2003.
[7] www.transphormusa.com/products [dostęp: 07.2015].
[8] http://www.st.com/web/catalog/sense_power [dostęp: 07.2015].
[9] http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Presentation_GalliumNitride_GaNApplications_SeminarAPEC2015-AP-v01_00-EN.pdf? fileId=5546d4624bcaebcf014c2c265e69007e [dostęp: 07.2015]
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-582a0d72-d398-4c2c-87bc-d080e98d0aaa
Identyfikatory