Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-2ceaa6dc-b223-480b-ab4f-da96dbbd416e

Czasopismo

Przegląd Elektrotechniczny

Tytuł artykułu

Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE

Autorzy Legutko, P. 
Treść / Zawartość http://pe.org.pl/
Warianty tytułu
EN The low-losses and fast switching hybrid drivers for DE series MOSFET transistors
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL W artykule przedstawiono realizację, analizę właściwości i badania eksperymentalne wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych np. klasy E i DE o częstotliwości pracy sięgającej 30 MHz. Nowo opracowane konstrukcje porównano z dostępnymi drajwerami scalonymi firmy IXYS pod kątem strat mocy, czasów przełączeń i propagacji. Dodatkowo, w ramach pracy wyznaczono parametry pasożytnicze RG, LDR i COUT wszystkich analizowanych układów drajwerów, oraz przeprowadzono analizę temperaturową przy użyciu kamery termowizyjnej.
EN This paper presents a systematic approach to design high performance discrete gate driver circuits for high speed switching applications. In the project tested three integrated drivers IXYS Corporation and additionally eight discrete drivers have been designed. Additionally, in this paper presents characteristic power input by the drivers (fig.4) for three operating states: at idle, at capacitance load 3 nF and at gate MOSFET 501N16A load. Also in this paper presents voltage waveforms (fig.5) and pictures of the thermal camera. At the end presents the measurements of parasitic parameters (inductances LDR, capacities COUT and resistances RDR) for all drivers.
Słowa kluczowe
PL drajwer wysokoczęstotliwościowy   falownik rezonansowy   tranzystor MOSFET   strata mocy   parametr pasożytniczy  
EN high frequency driver   resonant inverter   power loss   MOSFET transistor   parasitic parameter   thermal clad  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Przegląd Elektrotechniczny
Rocznik 2016
Tom R. 92, nr 4
Strony 132--136
Opis fizyczny Bibliogr. 17 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor Legutko, P.
  • Politechnika Śląska, Wydział Elektryczny, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. B. Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice, Piotr.Legutko@polsl.pl
Bibliografia
[1] Legutko P.: Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy, Przegląd Elektrotechniczny, 90 (2014), nr 5, 229-235
[2] Legutko P.: drajwer tranzystora MOSFET mocy, Pomiary Automatyka Kontrolna, PAK, 60 (2014), nr 3, 188-191
[3] Legutko P.: Nowe niskostratne drajwery tranzystorów MOSFET mocy, Prace Naukowe Politechniki Śląskiej, Seria ELEKTRYKA, 59 (2013), nr 2-3, 66-77
[4] Balogh L.: Design and Application Guide For High Speed MOSFET Gate Driver Circuit, International Rectifier, Dokumentacja techniczna
[5] Ridley R.: Gate Drive Design Tips, Power Systems Design Europe, December 2006, 14-18
[6] Zhang Z., Eberle W., Liu Y.: A 1-MHz High-Efficiency 12 V Buck Voltage Regulator with a New Current-Source Gate Driver, IEEE Transactions on Power Electronics, 23 (2008), n.6, 2817-2827
[7] Scoggins P.: A Guide to Designing Gate-Drive Transformers, Power Electronics Technology, January 2007, 32-36
[8] Crebier J., Rouger N.: Loss Free Gate Driver Unipolar Power Supply for High Side Power Transistors, IEEE Transactions of Power Electronics, 23 (2008), n.3, 1565-1573
[9] Tang T., Burkhart C.: Hybrid MOSFET/Driver for Ultra-Fast Switching, IEEE International Power Modulator Conference, 5/27/2008-5/31/2008, Las Vegas, 2008
[10] Kaczmarczyk Z.: Poprawa właściwości energetycznych falowników klasy E przez maksymalizację wykorzystania tranzystora, Rozprawa habilitacyjna, Wydawnictwo Politechniki Śląskiej, 2007
[11] Jurczak W.: Analiza właściwości falownika klasy E przy maksymalnych częstotliwościach przełączania tranzystorów mocy MOSFET, Rozprawa doktorska, Politechnika Śląska, 2010
[12] Opis technologii thermal clad dostępny pod adresem: http://www.bergquistcompany.com
[13] Dane techniczne analizatora impedancji firmy Agilent dostępne pod adresem: http://literature.cdn.keysight.com/litweb/pdf/5968-3808E.pdf
[14] Dokumentacja techniczna drajwera DEIC420 dostępna pod adresem: http://ixapps.ixys.com/DataSheet/deic420.pdf
[15] Dokumentacja techniczna drajwera DEIC515 dostępna pod adresem: http://ixapps.ixys.com/DataSheet/deic515.pdf
[16] Dokumentacja techniczna tranzystora FDG6332 dostępna pod adresem: https://www.fairchildsemi.com/datasheets/FD/FDG6332C.pdf
[17] Dokumentacja techniczna tranzystora MOSFET DE275-501N16A dostępna pod adresem: http://www.farnell.com/datasheets/66938.pdf
Uwagi
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-2ceaa6dc-b223-480b-ab4f-da96dbbd416e
Identyfikatory
DOI 10.15199/48.2016.04.07