Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-02b9c0b8-7647-4d7e-82b6-36ddd84ca4a0

Czasopismo

Przegląd Elektrotechniczny

Tytuł artykułu

Opracowanie efektywnych metod domieszkowania warstw ZnO glinem w procesie ALD i optymalizacja tych warstw

Autorzy Pietruszka, R.  Luka, G.  Witkowski, B. S.  Wachnicki, Ł.  Gieraltowska, S.  Stapiński, T.  Marszałek, K.  Godlewski, M. 
Treść / Zawartość http://pe.org.pl/
Warianty tytułu
EN Developing of effective methods of aluminum doping of ZnO layers in ALD process and optimization of these layers
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL Warstwy tlenku cynku domieszkowanego atomami glinu ZnO:Al były wzrastane metodą osadzania warstw atomowych (ALD, z ang. A-atomic, L-layer, D-deposition). Na szklanych podłożach osadzono warstwy ZnO:Al (tzw. warstwa AZO) o grubości 200 nm. Temperatura osadzania warstwy AZO była równa 160 oC. Najlepsze parametry elektryczne oraz krystalograficzne otrzymano używając dwóch wysoko reaktywnych prekursorów cynku i glinu. Użyto diethylzinc jako prekursor cynkowy oraz trimethylaluminum jako prekursor glinowy. Otrzymane struktury wykazały wysoką transmisję oraz niskie rezystywności rzędu 10-3 Ωcm. Po optymalizacji procesu wzrostu warstw ZnO:Al testowano je jako przezroczyste elektrody do zastosowań fotowoltaicznych.
EN We achieved high conductivity of zinc oxide layers doped with aluminum atoms using atomic layer deposition (ALD) method. Their growth mode, electrical and optical properties have been investigated. We discuss how the growth temperature and doping affect resistivity and optical properties of the films. The obtained resistivities of ZnO:Al thin films ( 1.2x10-3 Ωcm) and high transparency make them suitable for the TCO applications in photovoltaics.
Słowa kluczowe
PL tlenek cynku   domieszkowanie   osadzanie warstw atomowych  
EN zinc oxide   doping   TCO   atomic layer deposition  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Przegląd Elektrotechniczny
Rocznik 2014
Tom R. 90, nr 10
Strony 203--205
Opis fizyczny Bibliogr. 11 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor Pietruszka, R.
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, pietruszka@ifpan.edu.pl
autor Luka, G.
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, gluka@ifpan.edu.pl
autor Witkowski, B. S.
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, bwitkow@ifpan.edu.pl
autor Wachnicki, Ł.
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, lwachn@ifpan.edu.pl
autor Gieraltowska, S.
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, sgieral@ifpan.edu.pl
autor Stapiński, T.
  • AGH w Krakowie, Katedra Elektroniki, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków, stap@agh.edu.pl
autor Marszałek, K.
autor Godlewski, M.
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa, godlew@ifpan.edu.pl
Bibliografia
[1] Johnson N.M.; Nurmikko A. V.; DenBaars S. P. Phys. Today, 53(10), 31, 2000
[2] Powell A.R.; Rowland L. B. Proc IEEE 90, 942, 2002
[3] Pietruszka R.; Luka G.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek-Popko E.; Godlewski M. Materials Science in Semiconductor Processing, 25, 190–196, 2014
[4] Pietruszka R.; Luka G.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek-Popko E.; Godlewski M. Thin Solid Films, 563, 28–31, 2014
[5] Chen Y.; Bagnall D.M.; Koh H.J.; Park K.T.; Hiraga K.; Zhu Z.Q.; Yao T.J. Appl. Phys. 84, 3912, 1998
[6] Godlewski M.; Guziewicz E.; Kopalko K.; Łuka G.; Łukasiewicz M.I.; Krajewski T.; Witkowski B.S.; Gierałtowska S. Low Temp. Phys. 37, 301, 2011
[7] Pietruszka R.; Witkowski B.S.; Luka G.; Wachnicki L.; Gieraltowska S.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek- Popko E.; Godlewski M. Beilstein Journal of Nanotechnology, 5, 173-179, 2014
[8] Descoeudres, A.; Holman, Z.C.; Barraud, L.; Morel, S.; de Wolf, S.; Ballif, C. IEEE J. Photovoltaics, 3, 83–89, 2013
[9] Lee, W.; Shin, S.; Jung, D.-R.; Kim, J.; Nahm, C.; Moon, T.; Park, B. Curr. Appl. Phys., 12, 628–631, 2012
[10] Bowen, A.; Li, J.; Lewis, J.; Sivaramakrishnan, K.; Alford, T.L.; Iyer, S. Thin Solid Films, 519, 1809–1816, 2011
[11] Luka, G.; Krajewski, T.; Wachnicki, L.; Witkowski, B.; Lusakowska, E.; Paszkowicz, W.; Guziewicz, E.; Godlewski, M. Phys. Status Solidi A, 207, 1568–1571, 2010
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-02b9c0b8-7647-4d7e-82b6-36ddd84ca4a0
Identyfikatory